芯片失效分析

    失效分析属于芯片反向工程开发范畴。芯片失效分析主要提供封装去除、层次去除、芯片染色、芯片拍照、大图彩印、电路修改等技术服务项目。公司专门设立有集成电路失效分析实验室，配备了国外先进的等离子蚀刻机（RIE）、光学显微镜、电子显微镜（SEM）和聚焦离子束机（FIB）等设备，满足各项失效分析服务的要求。
    公司拥有一套完善的失效分析流程及多种分析手段，全方位保证工程质量及项目文件的准确无误。

失效分析流程：
1、外观检查，识别crack，burnt mark等问题，拍照。
2、非破坏性分析：主要用xray查看内部结构，csam—查看是否存在delamination
3、进行电测。 
4、进行破坏性分析：即机械机械decap或化学decap等

常用分析手段： 
1、X-Ray 无损侦测，可用于检测 
* IC封装中的各种缺陷如层剥离、爆裂、空洞以及打线的完整性
* PCB制程中可能存在的缺陷如对齐不良或桥接 
* 开路、短路或不正常连接的缺陷 
* 封装中的锡球完整性 
2、SAT超声波探伤仪/扫描超声波显微镜 
    可对IC封装内部结构进行非破坏性检测, 有效检出因水气或热能所造成的各种破坏如﹕
    晶元面脱层
    锡球、晶元或填胶中的裂缝
    封装材料内部的气孔 
    各种孔洞如晶元接合面、锡球、填胶等处的孔洞
3、SEM扫描电镜/EDX能量弥散X光仪
    可用于材料结构分析/缺陷观察，元素组成常规微区分析，精确测量元器件尺寸
4、三种常用漏电流路径分析手段：EMMI微光显微镜/OBIRCH镭射光束诱发阻抗值变化测试/LC 液晶热点侦测 
    EMMI微光显微镜用于侦测ESD,Latch up, I/O Leakage, junction defect, hot electrons , oxide current leakage等所造成的异常。
    OBIRCH常用于芯片内部高阻抗及低阻抗分析，线路漏电路径分析.利用OBIRCH方法，可以有效地对电路中缺陷定位，如线条中的空洞、通孔下的空洞。通孔底部高阻区等；也能有效的检测短路或漏电,是发光显微技术的有力补充。 
    LC可侦测因ESD,EOS应力破坏导致芯片失效的具体位置。
5、Probe Station 探针台/Probing Test探针测试，可用来直接观测IC内部信号
6、ESD/Latch-up静电放电/闩锁效用测试
7、FIB做电路修改 
    FIB聚焦离子束可直接对金属线做切断、连接或跳线处理. 相对于再次流片验证, 先用FIB工具来验证线路设计的修改, 在时效和成本上具有非常明显的优势. 
    此外，公司技术团队还积累了诸如原子力显微镜AFM ,二次离子质谱 SIMS,飞行时间质谱TOF － SIMS ,透射电镜TEM , 场发射电镜,场发射扫描俄歇探针, X 光电子能谱XPS ,L-I-V测试系统，能量损失 X 光微区分析系统等多种复杂分析手段。

服务项目：
     封装去除 
    利用先进的开盖设备和丰富的操作经验，能够安全快速去除各种类型的芯片封装，专业提供芯片开盖与取晶粒服务。 

芯片开盖

开盖机

     层次去除
   采用先进的刻蚀设备和成熟的刻蚀方法，专业提供去除聚酰亚氨（Polyimide）、去除氧化层（SiO2）、去除钝化层（Si3N4、SiO2）、去除金属层（Al 、CU、W）等芯片去层次技术支持与服务，承诺以完美的刻蚀效果为客户提供专业的芯片处理。 
    芯片染色 
    阱区染色：模拟类型芯片进行反向分析往往需要分析P阱和N阱的分布情况，因此需要对芯片进行阱区染色，把P阱和N阱用不同的颜色加以区分。 

    阱区